Samsung prevede di produrre in serie V-dram entro tre anni per superare SK Hynix

Secondo il media dei media sudcoreani Sedaily, Samsung Electronics ha finalizzato il suo progetto per produrre in serie "Transistor Vertical Channel Transistor (VCT)", una tecnologia di memoria di prossima generazione, con i prossimi tre anni.Gli osservatori del settore ritengono che questa mossa rifletta l'ambizione di Samsung di superare il rivale SK Hynix di una generazione tecnologica e rivendicare il suo stato di leadership nel settore della memoria.

VCT DRAM si riferisce a un tipo di memoria in cui i transistor che controllano il flusso di corrente sono disposti verticalmente anziché orizzontalmente.Questa struttura consente l'imballaggio a transistor più denso e una maggiore capacità di memoria, rendendolo un potenziale punto di svolta.Tuttavia, la produzione di VCT DRAM è molto più complessa del tradizionale DRAM planare.Implica non solo impegnative di processi front-end a livello di wafer, ma anche tecnologie di imballaggio avanzate che non sono mai state utilizzate nella produzione di DRAM convenzionali, presentando significativi ostacoli tecnici.

Attualmente, Samsung sta producendo in serie il suo DRAM di classe 10NM di quinta generazione e mira a iniziare la produzione della sua sesta generazione entro la fine dell'anno.Con la sua roadmap di sviluppo DRAM di settima generazione fissata per il prossimo anno, la società ha scelto VCT DRAM per continuare con una tecnologia di processo 1E (ottava generazione) convenzionale, segnalando un passaggio a una strategia più aggressiva e futura.

Al contrario, SK Hynix sta pianificando un percorso più incrementale, concentrandosi sul DRAM di settima generazione per primo, seguito dalla DRAM di classe 1a di prima generazione e infine introducendo DRAM verticali (VG).Se Samsung rimane nei tempi previsti, sarà il primo a inaugurare l'era di V-Dram, ottenendo un vantaggio critico.

I rapporti indicano inoltre che Samsung ha unito i suoi team responsabili dello sviluppo della fase iniziale del DRAM di ottava generazione con coloro che lavorano alla settima generazione, consolidando gli sforzi per accelerare i progressi.

Gli esperti del settore prevedono che i prodotti DRAM VCT fisici potrebbero apparire entro due o tre anni.Dato che Samsung è recentemente rimasto indietro in alcuni segmenti DRAM, questo perno strategico è visto come uno sforzo per ripristinare il suo orgoglio e la sua leadership attraverso la superiorità tecnologica.

Alla domanda sullo sviluppo, Samsung ha risposto che "non ha finalizzato specifici piani di prodotti DRAM".