Secondo il media sudcoreano zdnet.co.kr, SK Hynix, uno dei principali produttori di chip di memoria sudcoreani, sta sviluppando una tecnologia di processo di prossima generazione chiamata AIP (All-In-Plug).L'obiettivo è ottenere NAND Flash ad alto stack con oltre 300 strati riducendo significativamente i costi di produzione.
L'attuale produzione di NAND Flash richiede molteplici passaggi critici di incisione.Tuttavia, poiché gli strati di impilamento superano i 300, i costi di produzione e la complessità del processo aumentano notevolmente.La tecnologia AIP si concentra sul processo di incisione HARC (High Aspect Ratio Contact), un passaggio fondamentale nella produzione di NAND Flash.Integrando più fasi del processo ed eliminando passaggi ridondanti, mira a mantenere la fattibilità del processo riducendo al tempo stesso i costi di produzione e migliorando l'efficienza della resa.
Se la tecnologia AIP verrà introdotta con successo nella produzione di massa, si prevede che ridurrà in modo significativo il numero di passaggi di incisione a partire dalla NAND Flash di prossima generazione come V11, stabilendo una base di produzione più economica per chip di memoria con strati di stacking più elevati.
Il vicepresidente di SK Hynix, Lee Sunghoon, ha sottolineato nel suo discorso programmatico al SEMICON Korea 2026 che, poiché la complessità dei processi dei semiconduttori continua ad aumentare, fare affidamento su tecnologie legacy non può più sostenere la crescita futura.Di conseguenza, SK Hynix sta creando una prevedibile piattaforma tecnologica di processo di prossima generazione, valutando al tempo stesso le tecnologie chiave per la prossima generazione di DRAM e NAND.
Lee Sunghoon ha affermato che un fattore chiave che determina l'aumento dei costi delle memorie NAND Flash ad alto numero di strati è l'aumento delle fasi del processo di incisione.L’integrazione di più fasi in un unico processo rappresenta oggi una sfida tecnica fondamentale per l’azienda.