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Sfondamento! Kioxia ha sviluppato prodotti di memoria flash NAND a 170 strati

Il produttore giapponese di chip Kioxia ha sviluppato circa 170 strati di memoria flash NAND e ha ottenuto questa tecnologia all'avanguardia insieme a Micron e SK Hynix.


La Nikkei Asian Review ha riferito che questa nuova memoria NAND è stata sviluppata congiuntamente con Western Digital, un partner statunitense, e la sua velocità di scrittura dei dati è più del doppio di quella dell'attuale prodotto di punta di Kioxia (112 strati).

Inoltre, Kioxia ha anche installato con successo più celle di memoria su ogni strato della nuova NAND, il che significa che rispetto alla memoria della stessa capacità, può ridurre il chip di oltre il 30%. Chip più piccoli consentiranno una maggiore flessibilità nella costruzione di smartphone, server e altri prodotti.

È stato riferito che Kioxia prevede di lanciare la sua nuova NAND alla conferenza internazionale sui circuiti a stato solido in corso e dovrebbe iniziare la produzione di massa già il prossimo anno.

Con l'ascesa della tecnologia 5G e la trasmissione dei dati su scala più ampia e più veloce, Kioxia spera di sfruttare la domanda relativa ai data center e agli smartphone. Tuttavia, la concorrenza in questo campo si è intensificata. Micron e SK Hynix hanno annunciato NAND a 176 strati prima di Kioxia.

Per aumentare la produzione di memoria flash, Kioxia e Western Digital hanno in programma di costruire questa primavera una fabbrica da 1 trilione di yen (9,45 miliardi di dollari) a Yokkaichi, in Giappone. Il loro obiettivo è quello di aprire le prime linee di produzione nel 2022. Inoltre, Kioxia ha anche acquisito molti stabilimenti vicino allo stabilimento di Kitakami in Giappone in modo da poter espandere la capacità di produzione secondo necessità in futuro.